Halvledarfysik - material och heterostrukturer
Om utbildningen
Inledning: allmän kursinformation, historisk bakgrund, halvledare idag, framtidens material och nya fenomen.
Elektronstruktur: Kristallstruktur i halvledare, elektronisk energibandstruktur, klassificering av material t.ex. metaller, halvmetaller, grafen, halvledare, isolatorer, topologiska isolatorer.
Elektrontransport: laddningstransport i halvledare, elektronisk effekt av föroreningar, laddningsspridning, diffusiv och ballistisk transport.
Halvledarytor, gränssnitt och heterostrukturer: metall-halvledar Schottky-kontakter, halvledar-halvledarövergångar, halvledar-isolator gränssnitt.
Halvledarväxt och nanofabrikationsteknik och tillämpningar: Kristallväxt, epitaxiell växt, nanofabrikation, elektroniska och optoelektroniska komponenter.
Halvledarkvantstrukturer: Kvantbrunnar, -tråd och -punkt; Elektroniska och optiska egenskaper i kvantstrukturer.
Kvantkomponentfysik i halvledare: Coulomb-blockad, kvantpunktkontakter, svag lokalisering, Aharonov-Bohm effekt, Shubnikov de Haas-svängningar och Quantum
Hall-effekter. Nya tvådimensionella (2D) material: Elektroniska och kvantmekaniska egenskaper i 2D-material t.ex. grafen, hexagonal bornitrid (h-BN), MoS2 och deras heterostrukturer.
Spinnpolariserad elektrontransport i halvledare: Introduktion till spinntronik, spinnspridning och relaxationsprocesser i halvledare, spinntransport och dynamik i halvledare.
Spinnpolariserad elektrontransport i 2Dheterostrukturer: Spinntransport i grafen, spinnpolariserad tunnling genom h-BN, spinn- och dalpolarisering i MoS2.
Topologiska isolatorer: Elektronisk bandstruktur hos topologiska isolatorer, spinnpolariserad ström i topologiska isolatorer.
Behörigheter och urval
Behörighet
Kandidatexamen i fysik eller motsvarande, inklusive grundkurs i fasta tillståndets fysik eller motsvarande.
Urval
Högskolepoäng, max 165 hp