Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

Complex crater formation … - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

Complex crater formation on silicon surfaces by low-energy Ar cluster ion implantation

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare Vladimir Popok
Sergei Prasalovich
Eleanor E B Campbell
Publicerad i Surface Science
Volym 566-568
Sidor 1179-1184
Publiceringsår 2004
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Sidor 1179-1184
Språk en
Länkar www.sciencedirect.com/science?_ob=A...
Ämnesord Cluster ion implantation, surface morphology, atomic force microscopy
Ämneskategorier Ytor och mellanytor

Sammanfattning

Silicon samples were implanted by small mass-selected Ar cluster and Ar+ monomer ions with energies in the range of 1.5-18.0 keV/ion. Atomic force microscopy (AFM) shows simple and complex crater formation on the Si surface at the collision spots. A typical complex crater is surrounded by a low-height (0.5 nm) rim and it encloses a centre-positioned cone-shaped hillock with height of up to 3.5 nm depending on the implantation conditions. The morphology and dimensions of the craters and hillocks are studied as a function of the cluster size and implantation energy. A model explaining the hillock formation with relation to the thermal-transfer effect and local target melting at the collision spot is proposed.

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?