Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

Current enhancement with … - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

Current enhancement with alternating gate voltage in the Coulomb blockade regime of a single wall carbon nanotube

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare H.Y. Yu
DongSu Lee
S.S. Kim
B. Kim
SangWook Lee
J.G. Park
S.H. Lee
G.C. McIntosh
YungWoo Park
Mohammad Kabir
Eleanor E B Campbell
S. Roth
Publicerad i Applied Physics A
Volym 79
Sidor 1613-1615
ISSN 0947-8396
Publiceringsår 2004
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Sidor 1613-1615
Språk en
Länkar dx.doi.org/10.1007/s00339-004-2906-...
Ämnesord carbon nanotubes
Ämneskategorier Den kondenserade materiens fysik

Sammanfattning

We investigated the current–voltage characteristics of a carbon nanotube in a single electron transistor structure with alternating gate voltage. A continuous current enhancement effect with increasing frequency of the applied gate voltage up to 13 MHz is reported. Assuming that I=nef, more than 1000 electrons are driven to flow across the source–drain channel at VDS=100 mV, 13 MHz of gate voltage (Vp-p=2 V) and T=1.8 K. The continuous current enhancement is explained by the broadening effect of the discrete energy levels of the finite-length carbon nanotube.

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?