Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

Electronic transport and … - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

Electronic transport and consequences for material removal in ultrafst pulsed laser ablation of materials

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare Nadya Bulgakova
Razvan Stoian
Arkadi Rosenfeld
Ingolf Hertel
Eleanor E B Campbell
Publicerad i Physical Review B
Volym 69
Sidor 054102
ISSN 1098-0121
Publiceringsår 2004
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Sidor 054102
Språk en
Länkar dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.69.0541...
Ämnesord laser ablation
Ämneskategorier Fysik

Sammanfattning

Fast electronic transport is investigated theoretically based on a drift-diffusion approach for different classes of materials (metals, semiconductors, and dielectrics) under ultrafast, pulsed laser irradiation. The simulations are performed at intensities above the material removal threshold, characteristic for the ablation regime. The laser-induced charging of dielectric surfaces causes a subpicosecond electrostatic rupture of the superficial layers, an effect which, in comparison, is strongly inhibited for metals and semiconductors as a consequence of superior carrier transport properties.

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?