Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

Metal-assisted chemical e… - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

Metal-assisted chemical etching for realisation of deep silicon microstructures

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare S. Zarei
Mohammad Zahedinejad
S. Mohajerzadeh
Publicerad i Micro & Nano Letters
Volym 14
Nummer/häfte 10
Sidor 1083-1086
Publiceringsår 2019
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Sidor 1083-1086
Språk en
Länkar dx.doi.org/10.1049/mnl.2019.0113
Ämnesord gold, silicon, elemental semiconductors, etching, Si, etching parameters, dry etching, micrometre-, high-aspect-ratio, arrays, filter
Ämneskategorier Fysik

Sammanfattning

Metal-assisted chemical etching process is exploited to realise deep-etched silicon structures. Gold as the noble metal, hydrogen peroxide and hydrofluoric acid solutions are used to achieve deep vertical structures. By controlling the solution concentrations, thickness and morphology of the deposited metal, several hundred micrometre-sized silicon structures can be achieved. This method, upon achieving more controllability and repeatability, can be a good substitute for dry etching, due to its high etch-rate, low-cost materials and non-requirement to complex equipment. In this work, the effect of different etching parameters on the etching process is studied to gain more control over the etching conditions.

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?