Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

CMOS compatible W/CoFeB/M… - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

CMOS compatible W/CoFeB/MgO spin Hall nano-oscillators with wide frequency tunability

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare Mohammad Zahedinejad
H. Mazraati
Himanshu Fulara
J. Yue
S. Jiang
Ahmad Awad
Johan Åkerman
Publicerad i Applied Physics Letters
Volym 112
Nummer/häfte 13
ISSN 0003-6951
Publiceringsår 2018
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Språk en
Ämneskategorier Fysik, Halvledarfysik

Sammanfattning

We demonstrate low-operational-current W/Co 20 Fe 60 B 20 /MgO spin Hall nano-oscillators (SHNOs) on highly resistive silicon (HiR-Si) substrates. Thanks to a record high spin Hall angle of the β-phase W (θ SH = -0.53), a very low threshold current density of 3.3 × 10 7 A/cm 2 can be achieved. Together with their very wide frequency tunability (7-28 GHz), promoted by a moderate perpendicular magnetic anisotropy, HiR-Si/W/CoFeB based SHNOs are potential candidates for wide-band microwave signal generation. Their CMOS compatibility offers a promising route towards the integration of spintronic microwave devices with other on-chip semiconductor microwave components.

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?