Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

Influence of MgO barrier … - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

Influence of MgO barrier quality on spin-transfer torque in magnetic tunnel junctions

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare D. Tiwari
R. Sharma
O. G. Heinonen
Johan Åkerman
P. K. Muduli
Publicerad i Applied Physics Letters
Volym 112
Nummer/häfte 2
ISSN 0003-6951
Publiceringsår 2018
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Språk en
Länkar doi.org/10.1063/1.5005893
Ämnesord voltage-dependence, magnetoresistance, emission, Physics
Ämneskategorier Fysik

Sammanfattning

We studied the bias dependence of spin transfer torque in the MgO-based magnetic tunnel junction using a field-modulated spin torque ferromagnetic resonance measurement technique for three devices with tunneling magnetoresistances (MRs) of 60%, 67%, and 73%, respectively. The devices with a lower MR ratio showed the presence of multiple modes, while the device with higher MR (73%) showed a single resonance mode. We found a lower out-of-plane torkance in our devices compared to the in-plane torkance. The out-of-plane torque is linear with applied bias, while the bias dependence of in-plane torque shows a strong dependence on the MR ratio and hence the barrier quality. Published by AIP Publishing.

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?