Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

Planar Hall-Effect Bridge… - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

Planar Hall-Effect Bridge Sensor With NiFeX (X = Cu, Ag, and Au) Sensing Layer

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare F. Qejvanaj
H. Mazraati
S. Jiang
A. Persson
S. R. Sani
Sunjae Chung
F. Magnusson
Johan Åkerman
Publicerad i Ieee Transactions on Magnetics
Volym 51
Nummer/häfte 11
Sidor artikel nr 4005404
ISSN 0018-9464
Publiceringsår 2015
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Sidor artikel nr 4005404
Språk en
Länkar dx.doi.org/10.1109/tmag.2015.245121...
Ämnesord Anisotropic magnetoresistance (AMR), antiferromagnetic (AFM), ferromagnetic (FM), magnetic, exchange bias, anisotropy, Engineering, Physics
Ämneskategorier Fysik

Sammanfattning

This paper presents a new material alloy for planar Hall-effect bridge (PHEB) sensors and the accurate analysis of the resistance and sensitivity of these materials. The sensing layer is based on NiFeX (X = Cu, Ag, and Au). These alloys have a lower resistance without a significant loss of sensitivity. The presented PHEB sensors with NiFeX sensing layer show a coercivity of 1.7 Oe, lower than that of PHEB sensors with NiFe sensing layers, which have coercivities of 2.2 Oe.

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?