Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

Thick Double-Biased IrMn/… - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

Thick Double-Biased IrMn/NiFe/IrMn Planar Hall Effect Bridge Sensors

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare Fatjon Qejvanaj
Anders Persson
Majid Mohseni
Vahid Fallahi
Sohrab Sani
Sunjae Chung
Tuan Le
Fredrik Magnusson
Johan Åkerman
Publicerad i IEEE Transactions on Magnetics
Volym 50
Nummer/häfte 11
Sidor artikel nr 4006104
ISSN 0018-9464
Publiceringsår 2014
Publicerad vid
Sidor artikel nr 4006104
Språk en
Ämnesord Magnetism, Sensorer, Magnetoresistans
Ämneskategorier Magnetism, Teknisk fysik

Sammanfattning

In this paper, we present a new material stack for planar Hall effect bridge (PHEB) sensors and a detailed investigation of the sensitivity and noise properties of PHEB sensors made from these. The sputter deposited material stack was based on a ferromagnetic (FM) NiFe sensing layer surrounded by two layers of anti-FM IrMn. This material stack enables implementation of a thick NiFe layer without loss of sensitivity. We present an improvement in detectivity in the PHEB by changing the shape and the materials of the corners between the sensors in a meander shape. A significant reduction of noise also comes from the thick NiFe layer, due to the reduced resistance of the sensor.

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?