Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

A Nonvolatile Spintronic … - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

A Nonvolatile Spintronic Memory Element with a Continuum of Resistance States

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare Yeyu Fang
Randy K. Dumas
T. N. Anh Nguyen
Majid Mohseni
Sunjae Chung
Casey W. Miller
Johan Åkerman
Publicerad i Advanced Functional Materials
Volym 23
Nummer/häfte 15
Sidor 1919–1922
ISSN 1616-301X
Publiceringsår 2013
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Sidor 1919–1922
Språk en
Länkar dx.doi.org/10.1002/adfm.201202319
Ämnesord magnetism, spintronics
Ämneskategorier Magnetism

Sammanfattning

A continuum of stable remanent resistance states is reported in perpendicularly magnetized pseudo spin valves with a graded anisotropy free layer. The resistance states can be systematically set by an externally applied magnetic field. The gradual reversal of the free layer with applied field and the field-independent fixed layer leads to a range of stable and reproducible remanent resistance values, as determined by the giant magnetoresistance of the device. An analysis of first-order reversal curves combined with magnetic force microscopy shows that the origin of the effect is the field-dependent population of up and down domains in the free layer.

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?