Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

Utility of reactively spu… - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

Utility of reactively sputtered CuNx films in spintronics devices

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare Yeyu Fang
Johan Persson
C. Zha
J. Willman
C. W. Miller
Johan Åkerman
Publicerad i Journal of Applied Physics
Volym 111
Nummer/häfte 7
Sidor 5 sidor artikel nr 073912
ISSN 0021-8979
Publiceringsår 2012
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Sidor 5 sidor artikel nr 073912
Språk en
Länkar dx.doi.org/10.1063/1.3703067
Ämnesord magnetic multilayers, tunnel-junctions, co/cu/co pillars, spin-waves, magnetoresistance, oscillators, excitation, exchange, emission, cu3n
Ämneskategorier Fysik

Sammanfattning

We have studied nitrified copper (CuNx) thin films grown by reactive sputtering in the context of spintronic devices. The Ar-to-N-2 flow ratio enables tunability of the electrical resistivity and surface roughness of the CuNx films, with the former increasing to nearly 20 times that of Cu, and the latter reduced to the atomic scale. Incorporating this into a Ta/CuNx/Ta seed stack for spin valves improves the current-in-plane (CIP) magnetoresistance; maximum magnetoresistance results with CuNx seed layer and Cu interlayer. Finally, finite element modeling results are presented that suggest the use of CuNx in nanocontact spin torque oscillators can enhance current densities by limiting the current spread through the device. This may positively impact threshold currents, power requirements, and device reliability. (C) 2012 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.3703067]

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?