Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

Nanostructured MnGa Films… - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

Nanostructured MnGa Films on Si/SiO2 with 20.5 kOe Room Temperature Coercivity

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare Chaolin Zha
Randy K. Dumas
J. W. Lau
Seyed Majid Mohseni
Sohrab Redjai Sani
I. V. Golosovsky
Å. F. Monsen
Josoe Nogués
Johan Åkerman
Publicerad i Journal of Applied Physics
Volym 110
Nummer/häfte 9
ISSN 0021-8979
Publiceringsår 2011
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Språk en
Länkar link.aip.org/link/japiau/v110/i9/p0...
https://doi.org/10.1063/1.3656457
Ämnesord magnetism, spintronics, MnGa
Ämneskategorier Magnetism

Sammanfattning

Nanostructured Mn67Ga33 films exhibiting high room temperature coercivity (H-C = 20.5 kOe) have been prepared by sputtering onto thermally oxidized Si substrates. Both the morphology and the coercivity of the films can be tuned by varying the growth parameters. The low deposition rate film, sputtered at a reduced power and working pressure, demonstrates a discontinuous island-like growth and the highest H-C. The large H-C is linked to the presence of the high anisotropy DO22 Mn3Ga phase and the single domain character of the exchange isolated, dipolar interacting, single crystal islands. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3656457]

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?