Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

Electron-hole asymmetry i… - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

Electron-hole asymmetry in two-terminal graphene devices

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare Wolf-Rüdiger Hannes
Mats Jonson
Mikhail Titov
Publicerad i Physical Review B
Volym 84
Nummer/häfte 4
Sidor 045414
ISSN 1098-0121
Publiceringsår 2011
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Sidor 045414
Språk en
Länkar dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.84.0454...
Ämnesord graphene, electron transport
Ämneskategorier Den kondenserade materiens fysik

Sammanfattning

A theoretical model is proposed to describe asymmetric gate-voltage dependence of conductance and noise in two-terminal ballistic graphene devices. The model is analyzed independently within the self-consistent Hartree and Thomas-Fermi approximations. Our results justify the prominent role of metal contacts in recent experiments with suspended graphene flakes. The contact-induced electrostatic potentials in graphene demonstrate a power-law decay, with the exponent varying from −1 to −0.5. Within our model we explain electron-hole asymmetry and strong Fabri-Perot oscillations of the conductance and noise with positive doping, which were observed in many experiments with submicrometer samples. Limitations of the Thomas-Fermi approximation in a vicinity of the Dirac point are discussed.

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?