Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

Structural properties of … - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

Structural properties of relaxed Ge buffer layers on Si(001): effect of layer thickness and low temperature Si initial buffer

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare Tobias Myrberg
AP Jacob
O. Nur
M Friesel
M Willander
CJ Patel
Y Campidelli
C Hernandez
O Kermarrec
D Bensahel
Publicerad i JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
Volym 15
Nummer/häfte 7
Sidor 411-417
ISSN 0957-4522
Publiceringsår 2004
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Sidor 411-417
Språk en
Ämnesord 2-dimensional electron gases, x-ray-diffraction, growth, strain, silicon, heterostructures, mobility, relaxation, surfactant, substrate
Ämneskategorier Den kondenserade materiens fysik, Elektroteknik och elektronik, Materialteknik, Teknisk fysik
Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?