Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

Pseudo spin valves based … - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

Pseudo spin valves based on L1_0 (111)-oriented FePt and FePtCu fixed layer with tilted anisotropy

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare C.-L. Zha
Johan Åkerman
Publicerad i Journal of Physics: Conference Series
Volym 200
Sidor 052036 (4 pages)
ISSN 1742-6596
Publiceringsår 2010
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Sidor 052036 (4 pages)
Språk en
Länkar dx.doi.org/10.1088/1742-6596/200/5/...
Ämnesord spinntronik, magnetism
Ämneskategorier Magnetism, Elektronik

Sammanfattning

We demonstrate a series of pseudo-spin-valve structures based on L10 (111)- oriented FePt and FePtCu with titled magnetocrystalline anisotropy. Highly ordered (111)- oriented L10 FePtCu with large anisotropy is achieved by optimizing the Cu content. Magnetoresistance (MR) up to 5% has been obtained by i) optimizing the ¯xed-layer growth using di®erent underlayers, ii) enhancing the interface spin polarization using thin CoFe at the Cu interfaces, and iii) adjusting the Cu spacer thickness. The substantial MR realized with tilted ¯xed layer magnetization is an important prerequisite for the realization of tilted polarizer Spin Torque Oscillators (STO) or Spin-Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memories (STT-MRAM).

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?