Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

Surface-energy triggered … - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

Surface-energy triggered phase formation and epitaxy in nanometer-thick Ni1-xPtx silicide films

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare J Luo
Z Qiu
C.-L. Zha
Z. Zhang
D Wu
J Lu
Johan Åkerman
M. Östling
L. Hultman
S.-L. Zhang
Publicerad i Applied Physics Letters
Volym 96
Nummer/häfte 3
Sidor 031911 (3 pages)
ISSN 0003-6951
Publiceringsår 2010
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Sidor 031911 (3 pages)
Språk en
Länkar link.aip.org/link/?APPLAB/96/031911...
Ämneskategorier Fysik, Halvledarfysik, Elektronik

Sammanfattning

The formation of ultrathin silicide films of Ni1−xPtx at 450–850 °C is reported. Without Pt (x = 0) and for tNi<4 nm, epitaxially aligned NiSi2−y films readily grow and exhibit extraordinary morphological stability up to 800 °C. For tNi ≥ 4 nm, polycrystalline NiSi films form and agglomerate at lower temperatures for thinner films. Without Ni (x = 1) and for tPt = 1–20 nm, the annealing behavior of the resulting PtSi films follows that for the NiSi films. The results for Ni1−xPtx of other compositions support the above observations. Surface energy is discussed as the cause responsible for the distinct behavior in phase formation and morphological stability.

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?