Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

High growth rates and wal… - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

High growth rates and wall decoration of carbon nanotubes grown by plasma-enhanced chemical vapour deposition

Artikel i övriga tidskrifter
Författare Raluca Elena Morjan
V. Maltsev
Oleg Nerushev
Yiming Yao
Lena K. L. Falk
Eleanor E B Campbell
Publicerad i Chemical Physics Letters
Volym 383/4
Sidor 385-390
ISSN 0009-2614
Publiceringsår 2004
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Sidor 385-390
Språk en
Länkar dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2003.11...
Ämnesord carbon nanotubes
Ämneskategorier Fysik, Elektronik, Funktionella material, Övrig teknisk materialvetenskap

Sammanfattning

DC plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) was used to grow films of aligned carbon nanotubes on a silicon wafer using Fe as catalyst and a C2H2/H2 gas mixture. The films were of high quality and showed an exceptionally high growth rate compared with other plasma growth techniques. For long growth times, the upper parts of the nanotubes developed additional outer graphite flakes. The onset of the ‘tube decoration’ correlates with a decrease in linear growth rate and can be related to the gradient of plasma parameters in the cathode sheath.

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?