Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

Selective growth of indiv… - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

Selective growth of individual multiwalled carbon nanotubes

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare Raluca Elena Morjan
Mohammad Kabir
SangWook Lee
Oleg Nerushev
Per Lundgren
Stefan Bengtsson
Y. W. Park
Eleanor E B Campbell
Publicerad i Current Applied Physics
Volym 4
Nummer/häfte 6
Sidor 591-594
ISSN 1567-1739
Publiceringsår 2004
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Sidor 591-594
Språk en
Länkar dx.doi.org/10.1016/j.cap.2004.01.02...
Ämnesord Plasma-enhanced chemical vapour deposition, PECVD, Multiwalled carbon nanotubes, Controlled individual growth
Ämneskategorier Fysik, Elektronik

Sammanfattning

Growth of individual, vertically aligned multiwalled carbon nanotubes (VACNT) on patterned Si wafers using dc plasma-enhanced CVD is described. The selective growth of individual VACNT within larger holes etched in Si is demonstrated for the first time.

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?