Till sidans topp

Sidansvarig: Webbredaktion
Sidan uppdaterades: 2012-09-11 15:12

Tipsa en vän
Utskriftsversion

Current enhancement with … - Göteborgs universitet Till startsida
Webbkarta
Till innehåll Läs mer om hur kakor används på gu.se

Current enhancement with alternating gate voltage in the Coulomb blockade regime of a single wall carbon nanotube

Artikel i vetenskaplig tidskrift
Författare H.Y. Yu
DongSu Lee
S.S. Kim
B. Kim
SangWook Lee
J.G. Park
S.H. Lee
G.C. McIntosh
YungWoo Park
Mohammad Kabir
Eleanor E B Campbell
S. Roth
Publicerad i Applied Physics A
Volym 79
Sidor 1613-1615
ISSN 0947-8396
Publiceringsår 2004
Publicerad vid Institutionen för fysik (GU)
Sidor 1613-1615
Språk en
Länkar dx.doi.org/10.1007/s00339-004-2906-...
Ämnesord carbon nanotubes
Ämneskategorier Den kondenserade materiens fysik

Sammanfattning

We investigated the current–voltage characteristics of a carbon nanotube in a single electron transistor structure with alternating gate voltage. A continuous current enhancement effect with increasing frequency of the applied gate voltage up to 13 MHz is reported. Assuming that I=nef, more than 1000 electrons are driven to flow across the source–drain channel at VDS=100 mV, 13 MHz of gate voltage (Vp-p=2 V) and T=1.8 K. The continuous current enhancement is explained by the broadening effect of the discrete energy levels of the finite-length carbon nanotube.

Sidansvarig: Webbredaktion|Sidan uppdaterades: 2012-09-11
Dela:

På Göteborgs universitet använder vi kakor (cookies) för att webbplatsen ska fungera på ett bra sätt för dig. Genom att surfa vidare godkänner du att vi använder kakor.  Vad är kakor?

Denna text är utskriven från följande webbsida:
http://www.gu.se/forskning/publikation/?publicationId=54097
Utskriftsdatum: 2020-04-06